【中国经济新闻联播网 记者郝翊唯】前日，据湖北省鄂州市发改委官网发布，全球首个大规模小间距微光电芯片项目落户鄂州葛店经济开发区，总投资120亿元。建成后，可具有年产Mini LED芯片210万片、Micro LED芯片26万片的研发制造能力，产品主要供给三星、华为、苹果等全球知名公司。
据相关人士介绍，三安光电葛店基地项目占地700亩，由三安光电股份有限公司投资建设，并将得到国家集成电路产业大基金和湖北省长江产业基金的支持，项目建设周期3.5年，一期工程预计2年内可投产。
项目建成达产后，将形成年产MiniLED芯片210万片、MicroLED芯片26万片的研发制造能力，产品主要提供给三星、华为、苹果等全球知名公司。
目前，湖北省鄂州市正协调各有关部门做好服务工作，确保该项目尽快投产达效。
据悉，微发光二极管体积是目前主流LED的1%，其优势在于既有高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又有自发光特性，易实现节能效果。
据中电时空信息技术研究院有关专家表示，该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目，对推动湖北乃至国家光电信息产业发展具有重要意义。
我国是全球重要的光通信大国，然而在光电芯片领域，中国还有很大的市场进步空间。近年来，湖北在光电产业上卓有发展，打造的国家级自主创新示范区即武汉东湖新技术开发区，素有“光谷”的美誉。此次，微光电芯片项目落户鄂州，对湖北打造我国最大的光通信研发基地，最大的光纤光缆生产、光电器件生产基地以及激光产业基地具有重要的战略地位。
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